O jovem físico português Daniel José da Silva ganhou mais um prémio (depois de ganhar o prémio Corbett, em Bolonha, 2013), desta vez atribuído pela conceituada editora científica Elsevier BV na 22ª conferência internacional de Análise de Feixes Iónicos – IBA 2015 – que decorreu no passado mês de Junho na cidade de Opatija na Croácia. O Físico português ganhou o prémio de “Melhor artigo escrito por um jovem cientista” nesta conceituada conferência que contou com a participação activa de mais de 60 palestrantes.
O trabalho deste Físico promissor intitulava-se “Drawing the geometry of 3d transition metal-boron pairs in silicon from electron emission channeling experiments” e resultou de uma colaboração entre o seu instituto actual – o grupo de Física Nuclear do Estado Sólido da Universidade Católica de Leuven, que aliás já tinha publicado orgulhosamente esta notícia, o anterior grupo do Daniel, o IFIMUP-IN da Faculdade de Ciências da Universidade do Porto e ainda os centros: Centro de Ciências e Tecnologias Nucleares do Instituto Superior Técnico e o Centro de Física Nuclear da Universidade de Lisboa.
O trabalho premiado foi dedicado ao estudo do Silício puro, que foi e continua a ser uma material-basilar para o desenvolvimento da micro-electrónica, e portanto de praticamente todos os materiais electrónicos com que vivemos hoje em dia. Tal como o Daniel e seus colegas explicam no seu trabalho, durante a produção de Silício é normal que outros elementos, em particular os chamados elementos de transição, se introduzam no Silício, contaminando-o e provocando alterações às propriedades fundamentais do Silício, comprometendo assim a a performance de um conjunto variado de dispositivos, mas com particulares efeitos nefastos nas células fotovoltaicas.
Tal como os autores referem existem técnicas que permitem minimizar estes contaminantes, como o chamado processo de “gettering”, onde camadas de átomos de Boro são introduzidas, uma vez que os átomos de Boro gostam de formar ligações químicas com estes contaminantes “aprisionando-os” na sua camada. Esta técnica já é aplicada há muitos anos, no entanto não são conhecidos com detalhe as geometrias destas ligações químicas. Foi este problema que o Daniel e sua equipa tentaram resolver, aplicando uma técnica de sonda local para um Silício com estes contaminantes, ficando assim a conhecer melhor qual a geometria atómica destas ligações.
Fotos: DR